IPB16CN10N G
工場モデル | IPB16CN10N G |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK |
パッケージ | PG-TO263-3 |
株式 | 4208 pcs |
データシート | Part Number Guide |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 61µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 16.5mOhm @ 53A, 10V |
電力消費(最大) | 100W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3220 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 53A (Tc) |
基本製品番号 | IPB16C |
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